数据显示股票配资体验，全球磷化铟衬底销量将从2025年的91.13万片增至2027年的128.45万片，AI驱动的1.6T/3.2T光模块升级正持续拉动需求。当前国内产能稀缺，行业良品率仅约10%，单晶生长为扩产核心瓶颈。
近期机构研报指出，天津理工大学团队已成功研发新型VB法(坩埚下降法)，实验室小试将磷化铟成品率提升至50%以上，并启动6英寸产业化基地建设，与龙头厂商技术对接中。研报认为，该工艺突破有望显著缩短设备定制周期、降低量产门槛，是国内磷化铟自主供应的关键转折点。
研报指出，随着天津项目落地，国产磷化铟衬底供应能力有望快速提升，直接利好高速光模块、CPO及AI算力链相关企业。材料环节卡脖子缓解，将增强国内光通信产业链定价权与交付稳定性。
磷化铟是什么？
磷化铟是一种重要的化合物半导体材料，主要用于制造高速激光器、光电探测器等器件，广泛应用于光纤通信、数据中心和5G通信等领域。
芯片制造企业首先需要获得高质量的磷化铟单晶锭，再将单晶锭切割、研磨、抛光成晶圆，最后用于外延生长和芯片制造。因此，单晶生长是磷化铟产业链中的关键环节。
VB法是什么？
VB法的全称是垂直布里奇曼法，也称坩埚下降法。
简单来说，就是把装有磷化铟熔体的坩埚，缓慢地从高温区移动到低温区，使熔体按照设定方向逐渐凝固，最终长成单晶。
在生长过程中，坩埚底部通常放置籽晶。籽晶相当于一块"模板"，决定晶体的生长方向。原料熔化后，随着坩埚缓慢下降，熔体逐步经过高温区和低温区，固液界面不断向上推进，晶体也随之从籽晶端逐渐长大。
与普通熔体冷却不同股票配资体验，VB法强调对温度梯度、凝固界面和坩埚运动速度进行精确控制。
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